為什么要在半導體制造中使用冷鏡式露點儀？

水分對半導體制造的影響水可能是所有生命的基礎，但當涉及到半導體制造等專業(yè)過程時，它通常是過程中不想要的化

合物之一。水蒸氣的存在不僅在技術方面，而且對商業(yè)成果都有非常重要的影響。即使是很少

量的水蒸氣也會在晶片表面帶入雜質或導致氧化，從而會對半導體器件的電特性產生不利影響。

這可能導致生產效率降低、生產成本增加和制造時間延長，直接影響盈利能力和市場競爭力。在

光刻、沉積和蝕刻等關鍵工藝過程中，對濕度和水蒸氣的精確控制對于保持半導體層的結構完整

性和實現(xiàn)所需的產品質量至關重要。水蒸氣的有效管理不僅對于維護半導體器件所需的高性能標

準和可靠性至關重要，而且對于確保高效的生產工藝、有力地減少浪費和保持強大的市場競爭地

位也至關重要。

化學氣相沉積中的水分污染

化學氣相沉積（CVD）是半導體行業(yè)中廣泛使用的技術。它涉及氣相前體的化學反應，這些前體

在基底表面分解或反應以產生固體材料，形成薄膜或涂層。水分污染直接影響沉積膜的純度和完

整性。即使是很低的濕度水平也會在基底上引入不需要的羥基或催化氧化，導致膜中的瑕疵，對

器件性能產生不好影響。這種瑕疵可導致電不穩(wěn)定性、介電強度降低或折射率變化，嚴重損害半

導體器件的功能。為了應對這些挑戰(zhàn)，在CVD過程中實施全面的水分控制和減緩策略很重要。關

鍵策略包括使用嚴格的干氣吹掃、真空系統(tǒng)以及結合干燥劑來消除水分。此外，使用冷鏡式露點儀

可以幫助準確監(jiān)測CVD環(huán)境中的水分。這種策略的組合對于確保沉積符合半導體器件生產所需的

嚴格標準的高質量薄膜至關重要。。

等離子體蝕刻中的水分污染

選擇性蝕刻，通常在光刻階段之后，對于創(chuàng)建電路設計所必需的精確亞微米形狀和圖案至關重要。

該過程涉及使用蝕刻劑氣體，特別是全氟化合物（FFCs），其在晶片基底上方的氬等離子體中被

激活。這些氣體與半導體晶片上的特定材料進行選擇性反應，精心雕刻出器件功能所需的復雜電

路圖案。水分的存在會顯著影響等離子體的形成，從而影響蝕刻質量。因此，在將FFC引入蝕刻機

或CVD室之前，連續(xù)監(jiān)測FFC中的水分含量被認為是很好的方式。此外，等離子體氣體，包括鹵

化物和三氟化氮，也用于腔室清潔。然而，即使是微量水分也會影響等離子體質量和清潔過程的

效率。因此，密切監(jiān)測水分水平對于保持蝕刻和清潔階段的完整性至關重要，以確保高質量的生產

結果。

半導體制造用水分測量儀

PST提供了一系列傳感器和分析儀，用于在半導體制造過程的一系列關鍵階段測量水分。其中包括

露點變送器，如Easidew EA2，它能夠檢測-110至+20°Cdp之間的露點，精度為±2°Cdp，以及我

們的QMA401，它采用石英晶體微平衡，靈敏度為0.1 ppmV，非常適合用于CVD和蝕刻室。我們

的新產品S8000 RS是一款全自動冷鏡露點儀，旨在提高在苛刻條件下微量水分測量的速度、精度和

靈活性。S8000 RS具有高精度，在溫度低至-90°Cfp時保持±0.1°C的精度。它在應用中表現(xiàn)出了

優(yōu)異的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性，在-90°Cfp時很小的變化為±0.05°Cdp，在-80°Cfp時進一步低至±0.025°C

dp。通過使用復雜的鍍金銅鏡，該設備的精度顯著提高。這與精確的冷卻和動態(tài)污染修正一起，

確保形成一致的冷凝層，有助于準確可靠的測量。我們新款露點儀型號配備了各種通信選項，

包括通過USB、TCP/IP的Modbus RTU和4…20mA接口，以及直接到標準SD卡的內部數(shù)據(jù)記錄功能

。與我們提供的每一款產品一樣，S8000 RS擁有一套全面的技術和售后服務支持，確保我們的客戶

能夠獲得必要的幫助以獲得很好的性能。我們擁有50年的水分、濕度和露點技術開發(fā)歷史，在微水

和烴露點測量應用具有豐富的經驗。如果您想討論您的要求，請立即聯(lián)系我們的團隊。